特許

J-GLOBAL ID：200903052791797328

窒化ホウ素焼結体の製造方法

発明者： 西川 正人 ,  村山 一郎
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-310618
公開番号（公開出願番号）：特開2007-119270
出願日： 2005年10月26日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】反りが小さく、色ムラやシミの少ない半導体用ホウ素ドープ材の製造が可能となる窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】比表面積5〜15m2/g、酸素量1質量%以下の窒化ホウ素粉末48〜89質量%と、比表面積25〜60m2/g、酸素量2質量%以下の窒化ホウ素粉末10〜48質量%と、ホウ酸カルシウム粉末1〜4質量%とを含む混合粉をホットプレス焼結することを特徴とする窒化ホウ素焼結体の製造方法。本発明においては、窒化ホウ素焼結体が、窒化ホウ素96〜99質量%、酸化カルシウム0.4〜2質量%、酸化ホウ素0.5〜3質量%を含み、密度が1.7〜2.0g/cm3であることが好ましい。また、窒化ホウ素焼結体が、BNウェハの製造に用いるものであることが好ましい。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

比表面積が5〜15m2/g、酸素量が1質量%以下の窒化ホウ素粉末48〜89質量%と、比表面積が25〜60m2/g、酸素量が2質量%以下の窒化ホウ素粉末10〜48質量%と、ホウ酸カルシウム粉末及び/又はその前駆物質1〜4質量%とを含む混合粉をホットプレス焼結することを特徴とする窒化ホウ素焼結体の製造方法。

IPC (1件)：

C04B 35/583

FI (1件)：

C04B35/58 103A

Fターム (17件)：

4G001BA02 ,  4G001BA07 ,  4G001BA33 ,  4G001BA41 ,  4G001BA73 ,  4G001BB33 ,  4G001BB41 ,  4G001BB73 ,  4G001BC03 ,  4G001BC11 ,  4G001BC23 ,  4G001BC42 ,  4G001BC52 ,  4G001BC55 ,  4G001BD38 ,  4G001BE33 ,  4G001BE39

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公昭51-43942号公報
  

審査官引用 (4件)

• 窒化ホウ素常圧焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-106912   出願人：電気化学工業株式会社
• 特公平5-032349
  
• 特公昭51-043942
  
• 窒化ホウ素質焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-132915   出願人：電気化学工業株式会社