特許

J-GLOBAL ID：200903052794412524

磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法

発明者： 戸田 順三 ,  青山 進
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114735
公開番号（公開出願番号）：特開平6-325330
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子の信号検出領域の画定精度が向上し、かつ周波数特性の悪化を防止することを目的とする。【構成】 信号検出領域(36)を画定する引き出し導体層(32)の断面形状を磁気抵抗効果素子(31)側で略垂直に立上り、上部シールド(33a)側で傾斜して厚みを増す形状とし、前記記録ギャップ(38)を少なくとも信号検出領域(36)の幅の範囲で直線状とする。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子(31)の両端に一対の引き出し導体層(32)を接続して信号検出領域(36)を画定し、上記磁気抵抗効果素子及び引き出し導体層を第1,第2の絶縁層(34a,34b)を介在させて上部シールド(33a)と下部シールド(33b)との間に挟み、前記上部シールドに第3の絶縁層(38)を介在させて上部磁極(41)を対向させ、記録ギャップを形成した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記信号検出領域を画定する引き出し導体層の断面形状を磁気抵抗効果素子側で略垂直に立上り、上部シールド側で傾斜して厚みを増す形状とし、前記記録ギャップを少なくとも信号検出領域の幅の範囲で直線状としたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

IPC (2件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果型ヘツド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-255010   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭63-204506