特許
J-GLOBAL ID：200903052797152523
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031203
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235335
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】微細絶縁ゲート電界効果トランジスタのしきい値電圧をゲート電極材料の仕事関数を最適値にすることで制御し、絶縁ゲート電界効果トランジスタの微細化に伴うシリコン基板中の不純物濃度増加を不必要にする。かくして微細絶縁ゲート電界効果トランジスタの高速度化,信頼性向上を図る。【構成】ゲート電極12を多結晶構造のシリコン・ゲルマニウム合金、或いは金属薄膜/シリコン・ゲルマニウム合金の2層構造の金属材料とする。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成する絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の少くとも一部に多結晶シリコン・ゲルマニウム(Si1-x Gex)合金膜を用いることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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