特許
J-GLOBAL ID：200903052800474928
半導体基板の露光方法及び露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075286
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260394
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 ウエハ露光の際、ウエハをウエハチャック上に装着する直前の状態において、ウエハの裏面及びウエハチャックの表面における異物の有無に起因する解像不良部分の発生を予め未然に防止することができるようにする。【構成】 ウエハ6をウエハハンドリング機構9によりウエハチャック7上に装着する直前に、ウエハ6の裏面及びウエハチャック7の表面における異物の有無を異物検出手段10により検出する。CPU12は、記憶部11に記憶された検出値から予想されるウエハ6の平坦度の値と予め設定された光学系の焦点深度の値とを比較してその大小を判定する。異物が検出されない場合及び平坦度が焦点深度以内の場合には、ウエハ6をウエハチャック7上に装着して露光を開始する。予想される平坦度が焦点深度よりも大きい場合には、ウエハ6をウエハチャック7上に装着しない。
請求項（抜粋）：
半導体基板を保持部材上に保持して光学系により前記半導体基板を露光するようにした半導体基板の露光方法において、前記半導体基板を前記保持部材上に装着する直前に、前記半導体基板の裏面と前記保持部材の表面とにおける異物の有無を検出し、異物が検出されない場合にのみ前記半導体基板を前記保持部材上に装着し、前記半導体基板を露光することを特徴とする半導体基板の露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
