特許

J-GLOBAL ID：200903052801005263

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 佐々 道成 ,  加藤 久喜 ,  山崎 史郎 ,  梅崎 潤一
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137713
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308154
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】GaN 系の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光強度の向上。【構成】N型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む) からなるN層と、P型不純物を添加したI型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN; X=0を含む) からなるI層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、I層を、N層4と接合する側から順に、成長温度1000〜1200°Cで厚さ0.1〜5 μmに形成されたZn濃度 1×1017〜 5×1018/cm3 の低不純物濃度IL 層5と、成長温度800 〜950°Cで厚さ0.1 〜 1μmに形成されたZn濃度 1×1019〜1×1021/cm3 の高不純物濃度IH 層6との二重層構造としたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

N型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGa1-XN;X=0を含む) からなるN層と、P型不純物を添加したI型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む) からなるI層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記I層を、前記N層と接合する側から順に、成長温度1000〜1200°Cで厚さ0.1〜5 μmに形成されたZn濃度 1×1017〜 5×1018/cm3 の低不純物濃度IL 層と、成長温度800 〜950°Cで厚さ0.1 〜 1μmに形成されたZn濃度 1×1019〜1×1021/cm3 の高不純物濃度IH 層との二重層構造としたことを特徴とする発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-252177
  
• 特開平3-252178