特許

J-GLOBAL ID：200903052809306378

電界効果トランジスタ

発明者： 山口 豪 ,  福島 伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089956
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289140
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜に用いた金属シリケートにおける、組成の不均質化や微小結晶粒の析出を抑制することができ、MIS型トランジスタの歩留まり向上及び特性向上に寄与する。【解決手段】 シリコン基板101上に、Hfを10at%含むHfシリケートからなるゲート絶縁膜103を介してゲート電極104を形成したMIS型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜103を構成するHfシリケートにMgを5at%添加した。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された、ジルコニウム,ハフニウム,ランタン,セリウム,イットリウム,ビスマス,プラセオジムの少なくとも一つを含むシリケートに、マグネシウム,カリウム,マンガンの少なくとも一つを添加してなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を具備してなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 B ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (36件)：

5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC04 ,  5F058BC05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF12 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF32 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BD18 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG31 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高誘電率シリケート・ゲート誘電体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-242453   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド