特許
J-GLOBAL ID:200903052809306378
電界効果トランジスタ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-089956
公開番号(公開出願番号):特開2003-289140
出願日: 2002年03月27日
公開日(公表日): 2003年10月10日
要約:
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜に用いた金属シリケートにおける、組成の不均質化や微小結晶粒の析出を抑制することができ、MIS型トランジスタの歩留まり向上及び特性向上に寄与する。【解決手段】 シリコン基板101上に、Hfを10at%含むHfシリケートからなるゲート絶縁膜103を介してゲート電極104を形成したMIS型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜103を構成するHfシリケートにMgを5at%添加した。
請求項(抜粋):
シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された、ジルコニウム,ハフニウム,ランタン,セリウム,イットリウム,ビスマス,プラセオジムの少なくとも一つを含むシリケートに、マグネシウム,カリウム,マンガンの少なくとも一つを添加してなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を具備してなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/316 B
, H01L 29/78 301 G
Fターム (36件):
5F058BA11
, 5F058BA20
, 5F058BC04
, 5F058BC05
, 5F058BF04
, 5F058BF12
, 5F058BF23
, 5F058BF24
, 5F058BF27
, 5F058BF32
, 5F140AA00
, 5F140BA01
, 5F140BD13
, 5F140BD17
, 5F140BD18
, 5F140BE05
, 5F140BE07
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BE17
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BG08
, 5F140BG11
, 5F140BG31
, 5F140BG32
, 5F140BG37
, 5F140BG51
, 5F140BG53
, 5F140BJ01
, 5F140BJ08
, 5F140BK13
, 5F140BK21
, 5F140CA03
, 5F140CB04
, 5F140CC03
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