特許
J-GLOBAL ID:200903052809306378

電界効果トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-089956
公開番号(公開出願番号):特開2003-289140
出願日: 2002年03月27日
公開日(公表日): 2003年10月10日
要約:
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜に用いた金属シリケートにおける、組成の不均質化や微小結晶粒の析出を抑制することができ、MIS型トランジスタの歩留まり向上及び特性向上に寄与する。【解決手段】 シリコン基板101上に、Hfを10at%含むHfシリケートからなるゲート絶縁膜103を介してゲート電極104を形成したMIS型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜103を構成するHfシリケートにMgを5at%添加した。
請求項(抜粋):
シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された、ジルコニウム,ハフニウム,ランタン,セリウム,イットリウム,ビスマス,プラセオジムの少なくとも一つを含むシリケートに、マグネシウム,カリウム,マンガンの少なくとも一つを添加してなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を具備してなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件):
H01L 29/78 ,  H01L 21/316
FI (2件):
H01L 21/316 B ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (36件):
5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC04 ,  5F058BC05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF12 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF32 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BD18 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG31 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03

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