特許

J-GLOBAL ID：200903052812667616

フリップチップ型対面電極HEMT

発明者： 大巻 雄治 ,  早村 光雄 ,  谷本 真士
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-107259
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319552
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】大電力トランジスタは放熱性が悪く、破壊されやすかった。さらに、素子結晶成長時のバッファ層からリーク電流やoff電流が流れる問題があった。【解決手段】保護膜42で覆われたソース電極41及びドレイン電極41が熱伝導性基板47上に接着材を介して接着されており、ゲート電極48がソース電極及びドレイン電極が載置される載置面に対向する裏面側に設けられ、ゲート電極が載置される前記裏面側の少なくともその一部がバッファ層を除去した凹部を有すると共に、その凹部にゲート電極が載置されるトランジスタである。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

少なくとも2つ以上の電極を有し、保護膜で覆われ接着剤を介して熱伝導性基板に接着される1つ以上の第一の電極と、該第一の電極とは異なる面側に載置された第二の電極を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/338 ,  H01L23/34 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (3件)：

H01L29/80 G ,  H01L23/34 A ,  H01L29/80 H

Fターム (24件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BC05 ,  5F036BD01 ,  5F102FA00 ,  5F102GA16 ,  5F102GA18 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21