特許

J-GLOBAL ID：200903052814688904

半導体レーザ

発明者： 藤澤 弘和
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012652
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226764
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザのペレットマウント後に生ずる熱応力を軽減することを目的とする。【構成】半導体レーザにおいて、半導体レーザペレットをGaAs、ヒートシンクをシリコン、ステムのポストの材質が銅または鉄の場合、ヒートシンクの幅がヒートシンクの厚さの6倍より大きく、ステムポストの幅より小さいヒートシンクの断面構造を有する。【効果】半導体レーザペレット、ヒートシンク、およびステムポストの弾性定数の違いによって生ずる熱応力を小さくし、信頼度を向上させることが可能である。

請求項（抜粋）：

ステムのポストに固着したヒートシンク上に半導体レーザペレットが固着された半導体レーザにおいて、半導体レーザペレットを載置するヒートシンクの幅が、該ヒートシンクの厚さの6倍以上あり、かつ該ヒートシンクを載置するステムのポストの幅以内の幅のヒートシンクを有することを特徴とする半導体レーザ。