特許
J-GLOBAL ID：200903052826593399
圧電磁器の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124511
公開番号（公開出願番号）：特開平5-319926
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月03日
要約：
【要約】【目的】圧電歪み定数とキュリー温度は従来とほぼ同等の高い値を維持するとともに、強度を代表する抗折強度を向上させる。【構成】式(Pb<SB>1-x </SB>Sr<SB>x </SB>)(Zr<SB>y </SB>Ti<SB>1-y-z </SB>Nb<SB>z </SB>)O<SB>3 </SB>〔式中、0.08≦x≦0.14、0.49≦y-0.5 x≦0.51、0.02<z≦0.06〕で表される組成となるように調合された原料粉末から所定形状の成形体を形成し、成形体を所定温度で焼結して一次焼結体とし、一次焼結体を高温高圧のガス下で焼結するHIP処理工程と、を行う。Nbを従来より多くすることで結晶粒径が小さくなり、HIP処理により空孔が一層小さくなる。この相乗効果により圧電磁器の強度が向上する。
請求項（抜粋）：
式(Pb<SB>1-x </SB>Sr<SB>x </SB>)(Zr<SB>y </SB>Ti<SB>1-y-z </SB>Nb<SB>z </SB>)O<SB>3 </SB>〔式中、0.08≦x≦0.14、0.49≦y-0.5 x≦0.51、0.02<z≦0.06〕で表される組成となるように調合された原料粉末から所定形状の成形体を形成する成形工程と、該成形体を所定温度で焼結して一次焼結体とする一次焼結工程と、該一次焼結体を高温高圧のガス下で焼結するHIP処理工程と、からなることを特徴とする圧電磁器の製造方法。
IPC (2件)：
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