特許
J-GLOBAL ID:200903052827382502

配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-198711
公開番号(公開出願番号):特開2002-016355
出願日: 2000年06月30日
公開日(公表日): 2002年01月18日
要約:
【要約】【課題】微細なバイアホール用孔内の残渣を完全に除去し、信頼性の高いバイアホールを有する配線基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基板1の両面に第1配線層2a、第1配線層2b及び絶縁層3を形成する。絶縁層3の所定位置にレーザー加工等にて非貫通のバイアホール用孔4を形成する。バイアホール用孔4に残渣除去粉末をドクターリング等により充填し、残渣除去粉末充填層5を形成する。残渣除去粉末充填層5が形成された基板を残渣除去液に浸漬し、残渣除去粉末充填層5を溶解し、バイアホール用孔4内の残渣を除去する。残渣が除去されたバイアホール用孔4内及び絶縁層3上にバイアホール6及び第2配線層7a及び第2配線層7bを形成し、信頼性に優れた4層の高密度配線板を得る。
請求項(抜粋):
絶縁基板上に配線層、絶縁層が交互に積層され、個々の配線層がバイアホールにて電気的に接続されてなる配線基板であって、配線層を形成する工程と、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層にバイアホール用孔を形成する工程と、バイアホール用孔内を清浄化するデスミア工程と、バイアホール用孔内に導体層を形成しバイアホールを形成する工程とを有する配線基板の製造方法において、前記デスミア工程が前記バイアホール用孔に残渣除去粉末充填層を形成した後に残渣除去液に浸漬し、前記残渣除去液を前記残渣除去粉末充填層に浸透させることにより前記バイアホール用孔内の清浄化を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (3件):
H05K 3/42 610 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/46
FI (3件):
H05K 3/42 610 A ,  H05K 3/40 K ,  H05K 3/46 N
Fターム (23件):
5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB12 ,  5E317CC25 ,  5E317CC31 ,  5E317CD01 ,  5E317CD25 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG17 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346DD44 ,  5E346EE35 ,  5E346EE38 ,  5E346GG15 ,  5E346GG18 ,  5E346GG22 ,  5E346HH31

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