特許
J-GLOBAL ID：200903052827477031

強誘電体トランジスタおよびその製造方法

発明者：
ハネダー, トーマス ペーター

ハネダー, トーマス ペーター について

, 
シンドラー, ギュントヘヤー

シンドラー, ギュントヘヤー について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-504015
公開番号（公開出願番号）：特表2003-502846
出願日： 2000年05月15日
公開日（公表日）： 2003年01月21日
要約：
【要約】チャネル領域が間に構成された2つのソース/ドレイン領域(12、22、32)が、半導体基板(11、21、31)上に設けられる。誘電体中間層(13、23、33)および誘電体構造物(14、24、34)を含むゲート誘電体は、チャネル領域の表面上に位置される。誘電体構造物(14、24、34)は、ソース/ドレイン領域(12、22、32)のうちの一つの方へ向けられた少なくとも一つの側の誘電体中間層(12、22、32)上で境界を成す。これにより、ソース/ドレイン領域のエッジの上のゲート誘電体厚さは、誘電体中間層の厚さよりも大きくなる。
請求項（抜粋）：
強誘電体トランジスタであって、 2つのソース/ドレイン領域、および前記2つのソース/ドレイン領域の間に配置されるチャネル領域が半導体基板に設けられ、 誘電体中間層、および前記ソース/ドレイン領域のうちの一つと面する前記誘電体中間層の少なくとも一方の側において前記誘電体中間層と隣接する誘電体構造物を有するゲート誘電体が前記チャネル領域の表面上に配置され、 前記ゲート誘電体が前記ソース/ドレイン領域のエッジの上の前記誘電体構造物によって厚くされ、 強誘電体層およびゲート電極が前記誘電体中間層および前記誘電体構造物の上に配置される、強誘電体トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 444 A
Fターム (13件)：
5F083FR06 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F083JA38 ,  5F083PR12 ,  5F101BA62 ,  5F101BD02 ,  5F101BH03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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