特許

J-GLOBAL ID：200903052828919798

半導体記憶装置

発明者： 桑 形 正 明 ,  渡 辺 裕 待
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138814
公開番号（公開出願番号）：特開平5-334897
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 スペアセルとノーマルセルを有するメモリのスペア/ノーマル判定にかかる時間を短縮して、高速動作を可能とする。【構成】 スペアアドレスとノーマルアドレスを有する記憶手段に、カウンタ手段7からアドレスを与えるに当たり、前記記憶手段にアドレスを与えるカウンタ手段7がアドレスを出力する前に、スペア/ノーマル判別手段5により、前記カウンタ手段7の出力するアドレスを予め取り出してこのアドレスがスペアアドレスかノーマルアドレスを判定する。この判定に基づいて選択手段3、4により前記記憶手段に与えるアドレスをノーマルアドレスかスペアアドレスかを切り換える。

請求項（抜粋）：

データを記憶するメモリセルの複数によりノーマルカラムアドレス部分とスペアカラムアドレス部分とが構成されており、カラムアドレス信号に基づくカラム選択信号によってカラムを選択するようにした半導体記憶装置において、前記カラム選択信号が出力されるサイクルよりも前のサイクルにおいて、前記カラムアドレス信号がノーマルカラムアドレス信号かスペアカラムアドレス信号かを判定する判定手段を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 301 ,  G06F 11/20 ,  H01L 27/10 481

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-048498
  
• 特開平1-302449
  
• 特開平4-123399