特許

J-GLOBAL ID：200903052833385203

処理システム用の材料およびガス化学剤

発明者： ベイリー・アンドリュー・ディ.,スリー ,  シェップ・アラン・エム. ,  ヘンカー・デイビッド・ジェイ. ,  ウィルコックスソン・マーク・エイチ.
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人 明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-537770
公開番号（公開出願番号）：特表2003-514388
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2003年04月15日
要約：

【要約】【課題】【解決手段】 基板を処理するためのプラズマ処理システムを開示する。このプラズマ処理システムは、内部において処理のためのプラズマの発生と維持とを両方とも行う、実質的に軸対称の、単一のプラズマ処理チャンバを備える。このプラズマ処理チャンバは、プラズマ生成用のチャンバを別途有さない。このプラズマ処理チャンバは、上端および下端を有する。このプラズマ処理チャンバは、供給される反応ガス化学剤と実質的に反応しない材料を含む。また、このプラズマ処理チャンバに注入する反応ガスも開示する。

請求項（抜粋）：

基板を処理するためのプラズマ処理システムであって、 内部において、前記処理のためにプラズマの発生と維持とを行うプラズマ処理チャンバであって、上端と下端とを有し、内部に供給される反応性ガス化学剤と実質的に反応しない材料を含むプラズマ処理チャンバと、 前記プラズマ処理チャンバの上端に設けられた結合窓と、 前記基板が前記処理のために前記プラズマ処理チャンバの中に設けられた場合に前記基板によって規定される平面の上方に設けられた高周波アンテナ構成と、 前記基板によって規定される前記平面の上方に設けられた電磁石構成であって、少なくとも一の直流電流が供給された場合に、前記結合窓および前記アンテナに近い領域において前記プラズマ処理チャンバの中の制御可能な磁場に半径方向の変化を生じさせるように構成された電磁石構成であって、前記半径方向の変化は前記基板に対する処理の均一性に効果的に作用するものである、電磁石構成と、 前記電磁石構成に結合された直流電源であって、前記少なくとも一の直流電流の大きさを変動させることによって、前記アンテナに近い前記領域において前記プラズマ処理チャンバの中の前記制御可能な磁場の前記半径方向の変化を変更し、前記基板に対する前記処理の均一性を向上させるコントローラを有した直流電源とを備えたプラズマ処理システム。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/507 ,  H01J 37/32

FI (3件)：

C23C 16/507 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/302 101 C

Fターム (29件)：

4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030JA15 ,  4K030KA08 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  4K030KA46 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03