特許

J-GLOBAL ID：200903052835825642

不揮発性半導体メモリ装置

発明者： 西田 要一 ,  片岡 知典 ,  渕上 郁雄 ,  木村 智生 ,  河合 賢
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-332994
公開番号（公開出願番号）：特開2002-133887
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体メモリに対するデータの書き換え動作の高速化、低消費電力化を実現できる不揮発性半導体メモリ装置を提供することを目的とする。【解決手段】 不揮発性半導体メモリ装置において、メモリアレイ1のデータの書き換え回数をカウントするカウンタ14を備え、電源制御部13が、カウンタ14のカウント値に基づいて電圧生成手段12からデコード手段2に出力する電圧を変化させ、前記メモリアレイの列方向および行方向を選択する選択電圧を変化させることにより、書き換えを繰り返すことによる書き換え時間の劣化を防止し、書き換え時間を平均化するものである。

請求項（抜粋）：

メモリセルが行方向および列方向に格子状に配置されてなるメモリアレイと、前記メモリアレイのメモリセルを、電圧を印加することにより選択するデコード手段と、前記デコード手段により選択されたメモリセルの状態を検出し、出力するデータ検出手段と、前記デコード手段と前記データ検出手段を制御するメモリ制御部と、前記デコード手段に、動作モード毎に異なる電圧を生成し、供給する電圧生成手段と、前記電圧生成手段を制御する電源制御部と、前記メモリアレイのデータの書き換え回数をカウントするカウンタとを備え、前記電源制御部は、前記カウンタのカウント値に基づいて、前記電圧生成手段から出力する電圧を変化させる、ことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/02

FI (8件)：

G11C 17/00 632 C ,  G11C 17/00 601 B ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 611 Z ,  G11C 17/00 612 E ,  G11C 17/00 612 Z ,  G11C 17/00 636 A ,  G11C 17/00 636 B

Fターム (10件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AD15 ,  5B025AE05 ,  5B025AE06