特許

J-GLOBAL ID：200903052836001759

リ-ドフレ-ム及び半導体装置

発明者： 上田 弘孝
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-261761
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107174
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 微細なピッチで形成された回路パタ-ンに対して、確実に均一な接合強度でインナーリードを接続でき、接続部が高融点となりその後に表面実装やダイボンディング等で加熱作用を受けても接続不良が生ぜず信頼性のすぐれたリードフレーム及びこれを用いた半導体装置を得る。【構成】 半導体チップ搭載領域2の周りに形成したインナーリード1の先端部に、高融点半田をつけその表層にSnを被覆9しているリードフレームである。また、前記リードフレームのインナーリードとチップ搭載基板に形成した回路パタ-ンを接続した複合リードフレーム、及びこれを用いた半導体装置である。

請求項（抜粋）：

半導体チップ搭載領域の周りに形成したインナーリードの先端部に、高融点半田をつけその表層にSnを被覆していることを特徴とするリードフレーム。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/60 301

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子収納用パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-107099   出願人：京セラ株式会社
• 特開昭58-052860