半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231872
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086900
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】高性能で多機能かつ低消費電力な出力回路を備えた半導体装置を提供する。【構成】各出力回路部1は複数個並列に接続されている。特性変動量検出回路2は、各出力回路部1を構成する素子の特性変動量を検出する。補正制御回路3は、特性変動量検出回路2の検出結果に基づいて、動作する出力回路部1の数を制御する。従って、各出力回路部1を構成する素子の特性変動量に従って、動作する出力回路部1の数が制御される。そのため、各出力回路部1の出力電流の総和は、各出力回路部1を構成する素子の特性変動に関係なく一定になる。その結果、素子の特性変動に関係なく常に理想的な出力電流特性を得ることができ、過大な出力電流が流れることによって発生するノイズを低減することができる。また、各出力回路部1の信号遅延時間を調整することにより、スルーレート制御が可能になる。

請求項（抜粋）：

CMOSインバータ(52)と、電圧の異なる複数の高電位側電源(VDD1 ,VDD2 )と前記CMOSインバータ(52)との間に接続された各MOSトランジスタ(53,54)と、その各MOSトランジスタ(53,54)の内いずれか1つだけをオンさせる制御回路(55)とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H03K 17/687 , H03F 1/02 , H03F 3/68 , H03H 11/28 , H03K 17/16 , H03K 19/0175

FI (2件)：

H03K 17/687 F , H03K 19/00 101 F

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