特許
J-GLOBAL ID：200903052853667876
半導体薄膜磁気抵抗素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252450
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104504
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 自動車用ギヤセンサ等の高温用途において,十分な信頼性を有する半導体薄膜磁気抵抗素子を提供する。【構成】 絶縁性のガラス基板1上にInSbからなる半導体層2を設け,この半導体層2表面にアンチモン化インジウムの硫化層3を設け,この硫化層3上に短絡電極4を設けてなる構成とすることにより,高温下においても半導体層2と反応し難く低接触抵抗値の安定な短絡電極4が得られて高温用途に適した半導体薄膜磁気抵抗素子が実現できる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と,この絶縁性基板上に形成したアンチモン化インジウムからなる半導体層と,この半導体層表面に形成したアンチモン化インジウムの硫化層と,この硫化層上に形成した短絡電極と,前記絶縁性基板または前記半導体層に設けた端子電極と,前記絶縁性基板,前記半導体層および前記短絡電極それぞれの露出表面上に形成した絶縁体からなる保護層とを備えた半導体薄膜磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
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