半導体基板の温度測定方法および装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-310084
公開番号（公開出願番号）：特開平9-126889
出願日： 1995年11月02日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】非接触状態で220°C未満の低温度域を精度よく計測できる半導体基板の測定方法と小型で簡易構造の測定装置を提供する。【解決手段】半導体基板のエネルギーバンドギャップに近似するエネルギーを含む光を半導体基板に照射し、その透過光を半導体基板の基礎吸収スルクトル端と同様の分光感度特性を有する光検出器で検出し、検出出力を温度に変換する半導体基板の温度測定方法。測定対象となる半導体基板4に該半導体基板のエネルギーギャップに近似するエネルギーを含む光を照射するための光源部1と、半導体基板4を透過した光を検知するための半導体基板の基礎吸収スペクトル端と同様の分光感度特性を有する光検出器2と、検知された検出出力を温度に変換する演算器3とからなる半導体基板の温度測定装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板のエネルギーバンドギャップが温度に依存して変化する特性を利用して半導体基板の温度を測定する方法において、半導体基板のエネルギーバンドギャップに近似するエネルギーを含む光を前記半導体基板に照射し、その透過光を前記半導体基板の基礎吸収スペクトル端と同様の分光感度特性端を有する光検出器で検出し、該検出出力を温度に変換することを特徴とする半導体基板の温度測定方法。

IPC (3件)：

G01J 3/28 , G01K 11/00 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01J 3/28 , G01K 11/00 Z , H01L 21/66 T

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-093730
特開昭61-048730
特開平4-093730

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