特許
J-GLOBAL ID：200903052856532394
不揮発性半導体メモリのデータ修復方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-164795
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016380
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 チップ面積の低減を可能にし、且つデータ修復の高速化を可能にする不揮発性半導体メモリのデータ修復方法を提供する。【解決手段】 図6に示した従来の方法と異なるところは、セルVtの上昇によるデータ劣化が検出されたとき(st5でNOと判定)、ブロック消去+再書込み動作(st7-9)の代わりに、弱い消去動作(st10)を行った後、再度セルデータの変動確認動作(st3)に戻る点である。
請求項（抜粋）：
複数のしきい値電圧を設定可能で電気的書換が可能な複数のメモリセルがマトリクス配置されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイを複数のブロックに分割し、このブロックに含まれる前記メモリセルを1つのまとまりとして記憶データの消去を行うデータ消去手段と、前記メモリセルへの記憶データの書込みを行うデータ書込手段と、前記メモリセルから記憶データを読み出すデータ読出手段と、前記データ消去、書込及び読出手段の動作を制御する制御手段とを有し、前記メモリセルが記憶するデータの劣化を検出し修復する機能を有する不揮発性半導体メモリにおいて、前記ブロックに含まれるメモリセルのデータ劣化状態を検出後、追加書込みによりデータ修復が不可能な劣化状態のメモリセルに対して、そのメモリセルを含む消去ブロックに通常の消去よりしきい値変化が小さい弱消去動作を施した後で再度セルデータの劣化状態を検査し、劣化が検出された前記メモリセルデータの修復を行うことを特徴とする不揮発性半導体メモリのデータ修復方法。
FI (2件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 601 P
