特許

J-GLOBAL ID：200903052860146105

シクロヘキサンの誘導体

発明者： 恩地 裕一 ,  潮田 誠 ,  松井 秋一 ,  近藤 智之 ,  後藤 泰行
出願人/特許権者： チッソ株式会社
代理人 (1件)： 川北 武長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-250740
公開番号（公開出願番号）：特開平6-211711
出願日： 1993年10月06日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 分子末端にアルケニル基を有する、低粘度であり該化合物の添加により表示素子のしきい値電圧を低下できる新規な液晶材料を提供する。【構成】 一般式I(Xはフッ素原子またはトリフルオロメチル基、もしくはトリフルオロメトキシ基またはジフルオロメトキシ基を表す。ーA-は1,4ーシクロヘキシレン、1,4ーフェニレンであり、ーBーは1、4ーシクロヘキシレンであり、lは0、1または2を、mは0、1または2を示し、l+m≧1である。ZはーCH2 CH2 ーまたは単結合であり、nは0〜4の整数を表し、Rは水素原子または1〜7の直鎖状もしくは分岐鎖のアルキル基を表し、Rがアルキル基のとき二重結合はトランス配置である)の化合物。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中、Xはフッ素原子またはトリフルオロメチル基、もしくはトリフルオロメトキシ基またはジフルオロメトキシ基を表し、ーA-は1,4ーシクロヘキシレンまたは1,4ーフェニレン、ーBーは1,4ーシクロヘキシレンであり、lは0、1または2を、mは0、1または2を示し、l+m≧1であり、ZはーCH2 CH2 ーまたは単結合であり、nは0〜4の整数を表し、Rは水素原子または1〜7の直鎖状もしくは分岐鎖のアルキル基を表し、Rがアルキル基のとき二重結合はトランス配置である)で示されるシクロヘキサンの誘導体。

IPC (3件)：

C07C 25/18 ,  C07C 43/225 ,  C09K 19/30

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-217930