半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169872
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125148
出願日： 1995年07月05日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【課題】合わせずれによるメモリセル特性のバラツキをなくし、高集積化、高信頼化をはかり得る半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】半導体基板上に複数のメモリセルが配列形成され、各メモリセル間の少なくとも一部の半導体基板に素子分離用溝が形成され、この素子分離用溝の一部が素子分離用絶縁膜で埋め込まれ、かつ素子分離用溝の残部が導電性膜で埋め込まれた半導体記憶装置において、前記導電性膜で埋め込まれた前記素子分離用溝の側面の少なくとも一部をメモリセルトランジスタのチャネル部の一部とすること。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数のメモリセルが配列形成され、各メモリセル間の少なくとも一部の半導体基板に素子分離用溝が形成され、この素子分離用溝の一部が素子分離用絶縁膜で埋め込まれ、かつ素子分離用溝の残部が導電性膜で埋め込まれた半導体記憶装置において、前記導電性膜で埋め込まれた前記素子分離用溝の側面の少なくとも一部をトランジスタのチャネル部の一部とし、そのしきい値を選択された前記トランジスタのゲート電極に印加する読出し電圧よりも高く設定することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平1-235278
特開平3-032067
特開昭62-036870

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