特許
J-GLOBAL ID：200903052864513633
金属-セラミックス接合基板の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219440
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031720
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 パターンの直線性を改善し且つ不めっきの発生を防止することにより、めっきの外観不良を改善するとともに、めっきの密着性を確保することができる、金属-セラミックス接合基板の製造方法を提供する。【解決手段】 セラミックス基板の少なくとも一方の面にAlまたはAl合金からなる金属板を接合して回路パターンを形成した後、 金属板の表面の所定の部分に無電解Ni合金めっきを施す、金属-セラミックス接合基板の製造方法において、めっきを施す前に、(1)溶剤剥離タイプのレジストを使用して金属板の表面の所定の部分にめっきを施した後にレジストを剥離する、(2)金属板の表面全体にめっきを施した後に、めっきが必要な部分にレジストを塗布し、酸性エッチング液によりレジストが付着していない部分のめっきを除去する、または(3)所定形状のアルカリ剥離タイプのレジストを金属板の表面に付着させ、このレジストの付着していない金属板の表面に対して、全て酸性の薬液を使用するパラジウム活性法による前処理を行い、めっきを施した後にレジストを剥離する。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の少なくとも一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板を接合して回路パターンを形成した後、金属板の表面の所定の部分に無電解ニッケル合金めっきを施す、金属-セラミックス接合基板の製造方法において、無電解ニッケル合金めっきを施す前に、所定形状の溶剤剥離タイプのレジストを金属板の表面に付着させ、このレジストの付着していない金属板の表面の部分に対して、亜鉛置換法またはパラジウム活性法による前処理を行い、無電解ニッケル合金めっきを施した後、レジストを剥離することを特徴とする、金属-セラミックス接合基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 23/12
, B22D 19/00
, C23C 18/18
, C23C 18/32
, H01L 23/14
B22D 19/00 E
, C23C 18/18
, C23C 18/32
, H01L 23/12 D
, H01L 23/14 M
4K022AA02
, 4K022AA42
, 4K022BA14
, 4K022BA16
, 4K022BA25
, 4K022BA32
, 4K022BA35
, 4K022CA03
, 4K022CA06
, 4K022CA17
, 4K022CA21
, 4K022CA26
, 4K022DA01
, 4K022DA03
, 4K022EA03
