荷電粒子線光学系及び荷電粒子線転写装置及び半導体デバイスの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140678
公開番号（公開出願番号）：特開2000-048751
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】設計段階で定めたヨーク形状をそのまま変更せずに、両端部磁場のダレを減らすことで、磁場分布を狙いとする長方形に類似した均一な分布とし、収差が極めて少ない荷電粒子線光学系及び荷電粒子線転写装置を提供する。【解決手段】磁界の作用により荷電粒子線EBを集束する電磁レンズ3、4を少なくとも1つ有する荷電粒子線光学系において、電磁レンズ3、4の入射側端部5a及び射出側端部5cの少なくとも一方の端部での電流値と単位長さ当りのコイル巻数との積が、中間部5bでの積よりも大きくなるように形成されたことを特徴とする荷電粒子線光学系である。

請求項（抜粋）：

磁界の作用により荷電粒子線を集束する電磁レンズを少なくとも1つ有する荷電粒子線光学系において、前記電磁レンズの入射側端部及び射出側端部の少なくとも一方の端部での電流値と単位長さ当りのコイル巻数との積が、中間部での前記積よりも大きくなるように形成されたことを特徴とする荷電粒子線光学系。

IPC (5件)：

H01J 37/141 , G03F 7/20 504 , G21K 5/04 , H01J 37/305 , H01L 21/027

FI (5件)：

H01J 37/141 Z , G03F 7/20 504 , G21K 5/04 M , H01J 37/305 B , H01L 21/30 541 B

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