特許
J-GLOBAL ID：200903052872626250
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-095647
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283400
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 熱拡散により不純物を半導体基板に導入して低濃度拡散層を形成することで、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板にゲート電極を形成し、該ゲート電極下以外のゲート酸化膜中にフッ素をイオン注入し、ゲート電極に接して不純物を含む導電性のゲート側壁を形成する。そして、熱処理によりこの側壁から半導体基板中に不純物を拡散させる。【効果】 熱拡散により不純物を半導体基板に導入して低濃度拡散層を形成することにより、接合深さが浅く、かつ接合部に欠陥の少ない高信頼性の半導体装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたフッ素を含有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された不純物を含有する不純物含有膜と、少なくとも前記不純物含有膜と前記絶縁膜とが接する領域との前記絶縁膜下の前記半導体基板中に形成され、かつ前記不純物含有膜と同じ不純物を含有する不純物拡散層とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
