特許
J-GLOBAL ID：200903052873846840
薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292409
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134785
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】SrS発光層形成中に生ずるSr空孔を補償し、かつ結晶性を損なわないで、発光輝度および寿命特性のすぐれた薄膜EL素子を得る。【解決手段】Srと同じく長周期型周期表2A族に属し、かつ2価のイオン半径がSrより小さいBe、Mg、Caを添加することにより、これらの元素が基板上で動きやすいため、Sr空孔に入り込む。しかも同じ2A族に属するため結晶性を損なうことが少ない。
請求項（抜粋）：
発光中心が添加される発光層母体材料が硫化ストロンチウムである薄膜エレクトロルミネセンス素子において、母体材料中に、長周期型周期表の2A族に属し、2価のイオン半径がストロンチウムより小さい元素を含むことを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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