特許

J-GLOBAL ID：200903052876062319

加速度検出素子の製造方法

発明者： 多保田 純 ,  浅野 宏志 ,  水野 利弘
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-283635
公開番号（公開出願番号）：特開平7-140165
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 セラミックス接合板における対面接合部を基準とする対称位置ごとに素子電極層を形成することができる加速度検出素子の製造方法を提供する。【構成】 本発明にかかる加速度検出素子の製造方法は、圧電セラミックスからなるブロック体1を対面接合したうえで切り出されたセラミックス接合板3の両側表面に対する電極形成処理を行った後、セラミックス接合板3の一方側表面上に形成された全面電極層8のうち、セラミックス接合板3における対面接合部3aの両側にわたる所定幅部分9を除去して互いに分離された2つの素子電極層5を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

圧電セラミックスからなるブロック体(1)を対面接合したうえで切り出されたセラミックス接合板(3)の両側表面に対する電極形成処理を行った後、セラミックス接合板(3)の一方側表面上に形成された全面電極層(8)のうち、セラミックス接合板(3)における対面接合部(3a)の両側にわたる所定幅部分(9)を除去して互いに分離された2つの素子電極層(5)を形成することを特徴とする加速度検出素子の製造方法。

IPC (3件)：

G01P 15/09 ,  H01L 29/84 ,  H01L 41/09