特許

J-GLOBAL ID：200903052884763385

炭化ケイ素単結晶の製造方法

発明者： 前田 泰宏
出願人/特許権者： 日新製鋼株式会社
代理人 (1件)： 小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306100
公開番号（公開出願番号）：特開平6-128094
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1994年05月10日
要約：

【要約】【目的】 Si粒子や炭素粒子の混入がない高品質の炭化ケイ素単結晶を昇華法で製造する。【構成】 ルツボ1内の炭化ケイ素原料粉末2をヒータ5による加熱で昇華させる。昇華初期にプロパン等の炭素成分ガスを結晶領域域に導入し、後期にシラン等のケイ素成分ガスを導入することによって、炭化ケイ素原料粉末2から発生する昇華ガスの経時的な成分変動を相殺する。昇華ガスは、炭化ケイ素単結晶6として下蓋3に取り付けた種結晶の上に成長する。【効果】 組成が一定化された昇華ガスから結晶成長が行われるため、得られた炭化ケイ素単結晶6は、Si粒子や炭素粒子の混入がなく、化学量論的に純粋で高品質の製品となる。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素原料を昇華させ種結晶の上に炭化ケイ素単結晶を成長させる際、昇華反応の経過に伴った昇華ガスの経時的な成分変動を相殺するケイ素成分ガス及び/又は炭素成分ガスを成長反応域に導入することを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。