特許

J-GLOBAL ID：200903052885449919

半導体レーザー素子

発明者： 辻村 歩 ,  大川 和宏 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109387
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321409
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 室温以上の温度において青色から紫外に至る領域で発振する半導体レーザー素子を実現する。【構成】 n型Zn0.91Mg0.09S0.12Se0.88クラッド層3とp型Zn0.80Mg0.20S0.26Se0.74クラッド層6とを、5層からなるZnSe量子井戸層4(厚さ各6nm)と4層からなるZn0.91Mg0.09S0.12Se0.88障壁層5(厚さ各8nm)とで構成される多重量子井戸構造の活性層を介して接合する。

請求項（抜粋）：

活性層と、前記活性層の一方側に設けられ、少なくとも1層以上のII-VI族化合物半導体からなるp型クラッド層と、前記活性層の他方側に設けられ、少なくとも1層以上のII-VI族化合物半導体からなるn型クラッド層とを少なくとも備えた半導体レーザー素子であって、前記p型クラッド層のうち導電帯下端のエネルギーが最も高い層の導電帯下端のエネルギーが、前記n型クラッド層のうち導電帯下端のエネルギーが最も高い層の導電帯下端のエネルギーよりも高いことを特徴とする半導体レーザー素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00