特許
J-GLOBAL ID：200903052885549930
フラッシュメモリの寿命検出方式
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203439
公開番号（公開出願番号）：特開平6-052694
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】本発明は、フラッシュメモリを用いた半導体記憶装置におけるフラッシュメモリの寿命を検出する方式を提供することを目的とする。【構成】メモリコントローラ5、フラッシュメモリ4間のアドレスバス6、データバス7、制御信号8を監視することでメモリコントローラ5からフラッシュメモリ4へのデータ消去命令を検出する手段と、前記消去命令の後フラッシュメモリ4上のデータが消去されたことを検出する手段と、前記消去命令とフラッシュメモリ4上のデータの消去が完了するまでの時間を計測する手段を備えたフラッシュメモリの寿命検出方式。【効果】フラッシュメモリの寿命を早期に認識することができる。
請求項（抜粋）：
フラッシュメモリを記憶媒体として用いた半導体記憶装置においてフラッシュメモリの寿命を検出する方式であって、メモリコントローラが出力するフラッシュメモリへのデータ消去命令を検出する手段と、前記消去命令の後メモリコントローラが出力するフラッシュメモリ上のデータの消去が完了したか否かを確認する命令を検出する手段と、前記消去確認命令の後フラッシュメモリがメモリコントローラに出力する消去完了信号または消去未完了信号を検出する手段と、メモリコントローラが前記消去命令を出力してからフラッシュメモリが前記消去完了信号を出力するまでの時間を計測する手段を備えたことを特徴とするフラッシュメモリの寿命検出方式。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G11C 29/00 303
G11C 17/00 309 C
, G11C 17/00 309 F
