特許

J-GLOBAL ID：200903052899606294

薄膜超電導体の製造方法及びその製造装置

発明者： 鎌田 健 ,  北川 雅俊 ,  林 重徳 ,  小牧 一樹 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075573
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291375
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 良質で高性能な酸化物超電導体を薄膜化することのできる薄膜超電導体の製造方法及びその製造装置を提供する。【構成】 真空槽1を、スパッタ堆積室2と酸素イオン・プラズマ源を有する酸化処理室3との2つの機構によって構成する。スパッタ堆積室2内に、焼結した酸化物超電導体材料をターゲット5として設置し、高周波電源20を用いることによって高周波電界を印加する。酸化処理室3にイオン・プラズマ発生室19を連結し、該イオン・プラズマ発生室19を導波管18を介してマイクロ波源17に連結する。基体ホルダー7を回転させることにより、基体6がターゲット5の直上及び酸素イオン・プラズマ源を交互に通過するようにする。

請求項（抜粋）：

真空槽内に基体を設置し、前記基体上に酸化物薄膜超電導体を気相成長させる薄膜超電導体の製造方法であって、前記基体の温度を結晶性薄膜が得られる温度に保持した状態で基体上に薄膜を堆積させる工程と、非堆積中に堆積薄膜に対して酸素イオンあるいは酸素プラズマを照射させる工程とを交互に繰り返すことを特徴とする薄膜超電導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C23C 14/22 ,  C23C 14/34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-100753
  
• 袋織エアバツグ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-234487   出願人：旭化成工業株式会社
• エアバッグ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016949   出願人：東レ株式会社