特許

J-GLOBAL ID：200903052903178987

絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法

発明者： 中村 文彦 ,  倉持 尚叔 ,  河合 弘治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241581
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057158
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 窒化物からなるIII-V族化合物半導体装置に好適であって、能動層の電導率の低下を抑制しつつ、電気的に良好な素子分離を行える高抵抗で絶縁性に優れた窒化物層と、その形成方法を提供し、更にはその窒化物層を用いて半導体装置の特性を向上させること。【解決手段】 窒化物からなるIII-V族化合物半導体に、主としてIIB族元素(特にZn)を1×1017/cm3以上と高濃度に添加してなる絶縁性窒化物層3c、及びこの窒化物層をGaN能動層4下に具備するAlGaN/GaN HEMT等の半導体装置。

請求項（抜粋）：

窒化物からなるIII-V族化合物半導体に、主としてIIB族元素を高濃度に添加してなる絶縁性窒化物層。

IPC (12件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/762 ,  H01L 29/207 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 31/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/026

FI (10件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/207 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/026 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 E ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 B ,  H01L 31/02 A

Fターム (53件)：

5F003BA23 ,  5F003BJ12 ,  5F003BJ16 ,  5F003BM02 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ01 ,  5F003BZ03 ,  5F032AA91 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA15 ,  5F032CA16 ,  5F032CA18 ,  5F032DA02 ,  5F032DA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA47 ,  5F041CA53 ,  5F041CB23 ,  5F041CB31 ,  5F058BA02 ,  5F058BB01 ,  5F058BC09 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF32 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F073AA55 ,  5F073AB12 ,  5F073CA01 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073EA29 ,  5F088AB07 ,  5F088AB16 ,  5F088EA06 ,  5F088EA14 ,  5F102GA12 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GR09 ,  5F102GS04 ,  5F102HC01