特許

J-GLOBAL ID：200903052905537798

IC化温度センサ

発明者： 菊地 栄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-037638
公開番号（公開出願番号）：特開平9-229778
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 標準MOSプロセスで製造可能な低コストな構成でもって、直線性や再現性等の測定特性および低消費電力性にすぐれたモノリシック型のIC化温度センサを得る。【解決手段】 温度センサ部と測定回路部とが単一半導体基板に集積形成されたIC化温度センサにあって、測定回路部をMOSトランジスタで構成するとともに、温度センサ部をMOSトランジスタの素子構造によって形成される寄生バイポーラ・トランジスタまたは寄生pn接合ダイオードで構成する。

請求項（抜粋）：

バイポーラ・トランジスタまたはpn接合ダイオードを用いた温度センサ部と、このセンサ部に現れる温度電気変化を検出して出力する測定回路部とが単一半導体基板に集積形成されたIC化温度センサであって、上記測定回路部をMOSトランジスタで構成するとともに、上記センサ部をMOSトランジスタの素子構造によって形成される寄生バイポーラ・トランジスタまたは寄生pn接合ダイオードで構成したことを特徴とするIC化温度センサ。