特許
J-GLOBAL ID：200903052905600376
多層配線構造の半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-140886
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302702
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、多層配線構造を有する半導体装置におけるヴィアプラグと下層金属配線との間にアルミナ膜等の不要な抵抗が存在しない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、多層配線構造の半導体装置の製造方法において、基板上にAlもしくはAl合金を主成分とする下層金属配線を形成する第1工程と、下層金属配線の形成された基板上に層間絶縁膜を形成する第2工程と、層間絶縁膜にヴィア孔を穿設して下層金属配線をその底面で露出させる第3工程と、下層金属配線及びヴィア孔が穿設された層間絶縁膜の形成された基板を酸素を含む雰囲気中で、100°C以上500°C以下の温度で加熱する第4工程と、ヴィア孔内にAlあるいはWなど導電物質を含んだガスを供給し、化学反応によりヴィア孔にAlもしくはAl合金あるいはWなどの導電物質を選択的に堆積させてヴィアプラグを形成するあるいはスパッタ法により、ヴィアプラグを上層配線膜を一度に形成する第5工程とを備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
多層配線構造の半導体装置の製造方法において、基板上にAlもしくはAl合金を主成分とする薄膜を形成し、前記薄膜をパターニングすることにより下層金属配線を形成する第1工程と、前記下層金属配線の形成された前記基板上に層間絶縁膜を形成する第2工程と、前記層間絶縁膜にヴィア孔を穿設して前記下層金属配線をその底面で露出させる第3工程と、表面状態調整方法により、前記ヴィア孔の内周面及び前記層間絶縁膜の表面の吸着水分を除去するとともに、前記ヴィア孔底面に露出した前記下層金属配線表面に発生したアルミナ膜の膜厚及び膜質を均一化する第4工程と、前記ヴィア孔底面に露出した前記下層金属配線表面の前記アルミナ膜を除去する第5工程と、前記第5工程終了後、所定の物理的あるいは化学的堆積方法を用いて前記ヴィア孔内に金属あるいは金属化合物よりなる導電物質を充填してヴィアプラグを形成する第6工程とを備えていることを特徴とする多層配線構造の半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
