特許

J-GLOBAL ID：200903052913553913

高周波電力増幅器モジュール

発明者： 松下 孔一 ,  遠山 修 ,  石本 一彦
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ ,  日立ハイブリッドネットワーク株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-382387
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150917
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 電源電圧の変動によらず安定した電力増幅特性を有する高周波電力増幅器モジュールを提供する。【解決手段】 MOSトランジスタQN312でのチャネル長変調効果による電流増加分を抽出するカレントミラー回路1,2と、前記抽出した電流増加分となる電流I3cの大きさをサイズ比によって調整するカレントミラー回路3と、定電流源5cでの定電流I3から前記調整された電流増加分となる電流I3dを差し引いた電流I3eが入力され、電力増幅を行うMOSトランジスタQN3に対してバイアス電流を供給するMOSトランジスタQN31とを設け、前記MOSトランジスタQN312と前記MOSトランジスタQN3はチャネル長変調係数が同じものとする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電源電圧が供給され電力増幅を行う半導体増幅素子と、前記半導体増幅素子に対してバイアス電流を供給する手段とを有する高周波電力増幅器モジュールであって、 前記バイアス電流を供給する手段は、 前記半導体増幅素子との間でカレントミラー回路を構成する第1のトランジスタと、 前記電源電圧の変動に依存しない定電流を発生する手段と、 前記電源電圧の変動によって生じる前記半導体増幅素子でのバイアス電流変動分を補償する第1の電流を発生する手段と、 前記定電流から前記第1の電流を差し引いた第2の電流を前記第1のトランジスタに対して供給する手段とを有し、 前記第2の電流を前記第1のトランジスタに対して供給することで、前記半導体増幅素子に対して前記バイアス電流が供給されることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。

IPC (3件)：

H03F1/30 ,  H03F3/213 ,  H03F3/68

FI (3件)：

H03F1/30 A ,  H03F3/213 ,  H03F3/68 B

Fターム (15件)：

5J500AA04 ,  5J500AA41 ,  5J500AC04 ,  5J500AF10 ,  5J500AH09 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AK05 ,  5J500AK09 ,  5J500AM21 ,  5J500AS14 ,  5J500AT01 ,  5J500AT02 ,  5J500WU08