特許
J-GLOBAL ID：200903052915369028
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083509
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077407
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 インダクタを形成可能な半導体装置を得ることである。【構成】 11はシリコン基板である。除去領域12は、シリコン基板11の一部を空洞状に除去したものであり、空洞でもよいし空洞部に酸化シリコン等の複素誘電率が低い絶縁材料を埋込んだものでもよい。絶縁層13は、除去領域12およびその周囲に形成されている。配線層14は、インダクタの一方の引出し線となるものであり、金属やド-プトポリシリコン等の導電材料を用いて形成される。層間絶縁層15には、コンタクトホ-ル15aが形成されている。配線層16は、インダクタおよびインダクタの他方の引出し線となるものであり、金属等の導電材料を用いて形成される。17は保護絶縁層ある。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板の一部を空洞状に除去した第1領域と、上記半導体基板の主面側に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜を介して上記第1領域と反対側に導電材料を用いて形成され、インダクタとして機能する配線層とを有する半導体装置。
引用特許：
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