特許
J-GLOBAL ID：200903052915854198
プラズマCVD装置及び酸化膜の成膜方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-306864
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213378
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】 高い膜質改善効果を有するプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 上部電極及び下部電極を有するプラズマCVD装置の反応炉内に反応ガスを送入し、これらのガスをプラズマ雰囲気下で反応させることにより基板上に酸化膜を生成する際、反応ガスと共に、又は反応ガス送入後に、反応炉内に窒素,アンモニア,過酸化水素,アルゴン及びヘリウムからなる群から選択される少なくとも一種類の添加ガスを送入し、前記上部電極に13.56MHz超60MHz以下の範囲内の周波数を有する電圧を印加し、前記下部電極に300KHz以上13.56MHz以下の範囲内の周波数を有するバイアス電圧を印加することにより該添加ガスのイオンを基板に加速入射させる。
請求項（抜粋）：
反応炉を有するプラズマCVD装置において、前記反応炉内に、高周波電源に接続された上部電極と、高周波バイアス電源に接続された下部電極とを有し、前記反応炉内に窒素,アンモニア,過酸化水素,アルゴン及びヘリウムからなる群から選択される少なくとも一種類の添加ガスを送入する手段を有することを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/316
