特許

J-GLOBAL ID：200903052920169380

窒化物半導体レーザチップとこれを含む光学装置

発明者： 津田 有三 ,  伊藤 茂稔
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-052175
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252424
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 対向電極配置を有する窒化物半導体レーザ素子の発振寿命やしきい値電圧などをさらに改善する。【解決手段】 窒化物半導体レーザチップにおいて、導電型極性を有する窒化物半導体基板101の部分的領域上で窒化物半導体層のエピタキシャル成長を生じさせにくい複数のマスク200とそれらの間の複数の窓部とが交互に配置されたマスク群を含むマスク基板を含み、このマスク基板上を覆いかつ極性を有する窒化物半導体下地層102と、この下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層とを含む発光層106を含む発光素子構造をさらに含み、発光層内に電流が注入される電流狭窄部110はマスク群の上方に形成され、マスク基板の裏面上と発光素子構造の表面上とに電極111と112が形成されている。

請求項（抜粋）：

n型またはp型の極性を有する窒化物半導体基板の一主面の部分的領域上に形成されたマスク群を含むマスク基板を含み、前記マスク群は交互に配置された複数のマスクと複数の窓部とを含み、前記マスクは窒化物半導体層のエピタキシャル成長を生じさせにくい成長抑制膜からなり、前記窓部には前記成長抑制膜が形成されておらず、前記マスク群上を含めて前記マスク基板の全領域上を覆いかつ極性を有する窒化物半導体下地層と、この下地層上でn型層とp型層との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層とを含む発光層を含む発光素子構造をさらに含み、前記発光層内に実質的に電流が注入される領域である電流狭窄部は前記マスク群の上方に形成されており、前記マスク基板の裏面上と前記発光素子構造の表面上のそれぞれに電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザチップ。

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA44 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28