特許

J-GLOBAL ID：200903052925539347

CMP研磨方法

発明者： 平井 圭三 ,  櫻田 剛史 ,  芳賀 浩二
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263858
公開番号（公開出願番号）：特開2001-088015
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】【課題】 安定した研磨速度で被研磨面を選択的に傷なく研磨することができ、高平坦化することが可能であるCMP研磨方法を提供する。【解決手段】 0.5〜10重量%の酸化セリウム粒子、0.003〜0.3重量%の界面活性剤及び水を含有する液Aと、1〜50重量%の界面活性剤及び水を含有する液Bの二液を混合し超音波を印加した混合液で被研磨面を研磨することを特徴とするCMP研磨方法。

請求項（抜粋）：

0.5〜10重量%の酸化セリウム粒子、0.003〜0.3重量%の界面活性剤及び水を含有する液Aと、1〜50重量%の界面活性剤及び水を含有する液Bの二液を混合し超音波を印加した混合液で被研磨面を研磨することを特徴とするCMP研磨方法。

IPC (6件)：

B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/306 M

Fターム (13件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  5F043AA31 ,  5F043BB30 ,  5F043DD16 ,  5F043EE05 ,  5F043EE08 ,  5F043EE31 ,  5F043FF07 ,  5F043GG05