特許

J-GLOBAL ID：200903052931219850

CdTe膜の製造方法とそれを用いた太陽電池

発明者： 新本 哲也 ,  有田 孝 ,  花房 彰 ,  室園 幹夫
出願人/特許権者： 松下電池工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110727
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303445
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 蒸着法や近接昇華法で作製したCdTe薄膜はキャリア濃度が小さく太陽電池を作製した場合に理論効率よりもかなり低いものしか得られない。本発明は蒸着法や近接昇華法でCdTe薄膜を作製する場合に、安定してキャリア濃度の高いP型CdTe半導体膜を作製し、低コスト高効率の太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】 蒸着もしくはそれに類する方法でCdTe薄膜を形成して太陽電池を作製する場合にCdTeソース中にI族および/あるいはV族元素を含む化合物、又は有機金属化合物を混入する。

請求項（抜粋）：

CdとTeおよび/あるいはCdTeを主成分とする物を蒸発材料として蒸着又はそれに類する方法でCdTe半導体薄膜を基板上に形成するCdTeの製造方法において、前記蒸発材料中にI族および/あるいはV族元素、I族および/あるいはV族元素を含む金属化合物、I族および/あるいはV族元素を含む有機金属化合物の内少なくとも一つを混入することを特徴とするCdTe膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363

FI (4件)：

H01L 31/04 X ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/363 ,  H01L 31/04 E