特許
J-GLOBAL ID：200903052935247352
窒化ガリウム系材料及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-056353
公開番号（公開出願番号）：特開2007-277077
出願日： 2007年03月06日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】より高い熱伝導率を有するGaN系材料の製造方法を提供する。【解決手段】HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth)法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、H2ガスを含むキャリアガスG1と、GaClガスG2と、NH3ガスG3とを反応室10に供給し、成長温度を900(°C)以上かつ1200(°C)以下とし、成長圧力を8.08×104(Pa)以上かつ1.21×105(Pa)以下とし、GaClガスG2の分圧を1.0×102(Pa)以上かつ1.0×104(Pa)以下とし、NH3ガスG3の分圧を9.1×102(Pa)以上かつ2.0×104(Pa)以下として実施する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系材料の製造方法であって、
HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth)法によって窒化ガリウム系材料を成長させる成長工程を含み、
前記成長工程では、
H2ガスを含むキャリアガスと、GaClガスと、NH3ガスとを反応室に供給し、
成長温度を900(°C)以上かつ1200(°C)以下とし、
成長圧力を8.08×104(Pa)以上かつ1.21×105(Pa)以下とし、
GaClガスの分圧を1.0×102(Pa)以上かつ1.0×104(Pa)以下とし、
NH3ガスの分圧を9.1×102(Pa)以上かつ2.0×104(Pa)以下とする、
ことを特徴とする窒化ガリウム系材料の製造方法。
IPC (6件)：
C30B 29/38
, C30B 25/16
, C23C 16/34
, C23C 16/52
, H01S 5/02
, H01L 33/00
C30B29/38 D
, C30B25/16
, C23C16/34
, C23C16/52
, H01S5/02
, H01L33/00 C
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB03
, 4G077AB08
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077EA04
, 4G077EA06
, 4G077EB06
, 4G077EC09
, 4G077HA12
, 4G077HA14
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TB02
, 4G077TC01
, 4G077TC03
, 4G077TC06
, 4G077TC08
, 4G077TC09
, 4G077TJ03
, 4G077TJ04
, 4G077TJ05
, 4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB13
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA12
, 5F041AA31
, 5F173AH04
, 5F173AP04
