特許
J-GLOBAL ID：200903052947353751
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103636
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283622
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 IGBTを含む半導体装置の電流増幅率を増大し、かつ高集積化を可能とする。【構成】 P型基板1にゲート2を形成し、このゲートを利用した自己整合拡散法によりドレイン領域及びベース領域としてのN- 拡散層3を形成する。又、ソース領域としてのN+ 拡散層4を形成する。又、ソース6、ドレイン8を形成することで、内蔵MOSFETと内蔵PNPバイポーラトランジスタを含むIGBTが形成され、素子の自己分離を可能にして微細化を図り、かつ電流増幅率を増大する。
請求項（抜粋）：
IGBTを有する半導体装置において、IGBTの内蔵MOSFETのドレイン領域及び内蔵バイポーラトランジスタのベース領域を拡散層で構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/06 321 A
, H01L 29/78 321 J
