特許

J-GLOBAL ID：200903052947674507

化合物半導体超微粒子の製造方法

発明者： 齊田 壮一郎
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357005
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160336
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体原料が反応器に入る前の好ましくない事前の反応を抑制し、且つ、大量に半導体微粒子を製造製造する方法を提供する。【解決手段】 ホットソープ法により化合物半導体超微粒子を管型流通反応器を用いて製造する方法において、同期表の第11〜13族の元素を含有する原料と第15〜17族の元素を含有する原料を独立して反応器に供給することを特徴とする化合物半導体超微粒子の製造方法。

請求項（抜粋）：

ホットソープ法により化合物半導体超微粒子を管型流通反応器を用いて製造する方法において、周期表の第11〜13族の元素を含有する原料と第15〜17族の元素を含有する原料を独立して反応器に供給することを特徴とする化合物半導体超微粒子の製造方法。

IPC (2件)：

C01G 11/02 ,  C09K 11/08

FI (2件)：

C01G 11/02 ,  C09K 11/08 A

Fターム (6件)：

4G047BA01 ,  4G047BB01 ,  4G047BC02 ,  4G047BD04 ,  4H001CA01 ,  4H001CF01