特許
J-GLOBAL ID：200903052949389729
高性能材料の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-024634
公開番号（公開出願番号）：特開2006-207011
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 半導体などの材料を構成している結晶を、材料の形状を変形させたり、不純物を添加したりすることなく、微細化し、更には結晶方位を揃えて結晶を成長させること、および原子スケールの組成傾斜構造を形成させることができる高性能材料の製造方法を提供する。【解決手段】 二つ以上の異なる元素または同位体からなる合金もしくは固溶体、化合物もしくは化合物の混晶、またはこれらの混合物等の材料に対して、高重力場処理を施す。具体的には、材料が固相状態を保つことができ、かつ再結晶温度以上の温度下で、1万g以上の重力加速度を印加する。これにより、原子量の大きい元素が重力方向に一軸変位して結晶構造に大きな一次元格子歪みが生じて、結晶が微細化される。処理時間を長くすると、元素の沈降が生じ、結晶方位が揃って成長すると共に、原子スケールの組成傾斜構造が形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
二つ以上の異なる元素または同位体により構成された固相状態の材料に対して高重力場処理を施すことにより、その結晶を微細化させる
ことを特徴とする高性能材料の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (1件)
引用文献：
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