特許

J-GLOBAL ID：200903052952978484

半導体装置及び半導体装置の実装方法

発明者： 中村 利文 ,  奥洞 明彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039032
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213702
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】実装の信頼性及び品質を向上させ得る半導体装置及び半導体装置の実装方法を実現し難かつた。【解決手段】半導体チツプの各電極上に、それぞれ金及び錫の合金、又は金塊に錫が被膜されてなるバンプを形成するようにして半導体装置を構成するようにしたことにより、実装の信頼性及び品質を向上させ得る半導体装置を実現できる。また半導体チツプ及びプリント配線基板の各接合部位間に金及び錫、又は金及び錫からなる合金を供給した後、半導体チツプをプリント配線基板上に位置決めしてマウントすると共に、この後半導体チツプをプリント配線基板に所定圧力で押しつけながら半導体チツプ及びプリント配線基板間の接合部位を加熱するようにしたことにより、実装の信頼性及び品質を向上させ得る半導体装置の実装方法を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体チツプの各電極上にそれぞれ形成された、金及び錫の合金、又は金塊に錫が被膜されてなるバンプを具えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/603

FI (4件)：

H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/603 B ,  H01L 21/92 603 B