エッチングプロセスを用いたシリコンの処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-577113
公開番号（公開出願番号）：特表2002-527253
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2002年08月27日
要約：

【要約】横側方向の空白部(21)の定義のためのエッチングマスク(10)が設けられている第1のシリコン層(15)のエッチング方法が提案されている。第1のプラズマエッチングプロセスにおいて、横側方向の空白部(21)の範囲内で異方性エッチングによりトレンチ溝(21′)が作成される。この第1のエッチングプロセスは、第1のシリコン層(15)及び他のシリコン層(17)との間に埋設された分離層(12,14,14′,16)に達した際にほぼ停止する。その後、露出領域(23,23′)内のこの分離層を第2のエッチングプロセスを用いて貫通エッチングする。次に、引き続き第3のエッチングプロセスにより他のシリコン層(17,17′)のエッチングを行う。それにより、センサ素子用の遊離する構造体をIC-集積技術における方法工程と完全に互換性の簡単なプロセスで作成できる。

請求項（抜粋）：

横側方向の空白部(21)を定義するためにエッチングマスクが設けられている第1のシリコン層(15)を有するシリコン積層体をエッチングするにあたり、第1のエッチングプロセスにおいてプラズマを用いて操作し、横側方向の空白部(21)の領域内で異方性エッチングによりトレンチ溝(21′)を作成するシリコン積層体のエッチング方法において、第1のシリコン層(15)と他のシリコン層(17,17′)との間に少なくとも1つの分離層(12,14,14′,16)が埋設されており、前記の分離層に到達した際に第1のエッチングプロセスがほぼ停止し、その後、露出領域(23,23′)内の分離層(12,14,14′,16)を第2のエッチングプロセスにより貫通エッチングし、引き続き第3のエッチングプロセスで他のシリコン層(17,17′)のエッチングを行うことを特徴とするシリコン積層体のエッチング方法。

IPC (2件)：

B81C 1/00 , H01L 21/3065

FI (2件)：

B81C 1/00 , H01L 21/302 J

Fターム (13件)：

5F004AA16 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA16 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004EA09 , 5F004EA10 , 5F004EA13 , 5F004EA23 , 5F004EA29 , 5F004EB08

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