特許
J-GLOBAL ID：200903052957608782

フラッシュメモリの書き込み・消去制御方法

発明者：
中尾 和弘

中尾 和弘 について


出願人/特許権者：
エヌイーシーマイクロシステム株式会社

エヌイーシーマイクロシステム株式会社 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086355
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273792
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 初期消去時のベリファイ動作をなくし、書き込み・消去動作にかかるテストタイムを短くすることのできるフラッシュメモリの書き込み・消去制御方法を提供する。【解決手段】 スクリーニング試験等に複数回の書き込みと消去を各メモリセルに対して行うフラッシュメモリにあって、初回の書き込み・消去の際、消去ベリファイがパスしたとき(S105)、消去に要した印加回数又は時間をフラッシュメモリ内に設定した記憶領域に記憶する(S107)。次回以降においては、消去処理時に記憶領域に記憶した初回の情報を読み出し(S202)、この情報に基づいて次回の印加パルスの印加時間を設定(S204)し、消去ベリファイを実行する(S205)。
請求項（抜粋）：
スクリーニング試験等に複数回の書き込みと消去を各メモリセルに対して行うフラッシュメモリの書き込み・消去制御方法において、初回のベリファイがパスしたとき、書き込み・消去に要した印加回数又は時間を前記フラッシュメモリ内に設定した記憶領域に記憶し、前記記憶領域に記憶した前記印加回数又は時間を読み出し、これを次回の書き込み・消去の印加パルスの単位時間に設定して次回のベリファイを実行することを特徴とするフラッシュメモリの書き込み・消去制御方法。
IPC (5件)：
G11C 29/00 652 ,  G11C 29/00 601 ,  G11C 29/00 673 ,  G11C 17/00 ,  G11C 16/02
FI (6件)：
G11C 29/00 652 ,  G11C 29/00 601 C ,  G11C 29/00 673 Z ,  G11C 17/00 D ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 612 B
Fターム (13件)：
5B003AA05 ,  5B003AB05 ,  5B003AE04 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AE01 ,  5B025AE05 ,  5L106AA10 ,  5L106DD24 ,  5L106DD25 ,  5L106DD35 ,  5L106GG07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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