薄膜トランジスタと表示装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391435
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197630
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は薄膜トランジスタと液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置に関するものであり、性能に優れた薄膜トランジスタと液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】レーザー照射による結晶化工程において基板走査方向に対して斜めの方向にチャネル領域を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくともチャネル領域と前記チャネル領域両端にドナーまたはアクセプタとなる不純物を含有するソース・ドレイン領域からなるシリコンを主成分とする半導体薄膜と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート導電膜と、ソース・ドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方法において、非単結晶シリコンに連続発振レーザーを照射して結晶化する工程と、前記連続発振レーザーにより照射される領域を移動する工程と、前記連続発振レーザーにより照射される領域の移動方向に平行な直線と前記ソース領域とドレイン領域を結ぶ直線の交線が鋭角を有するように前記ソース領域とドレイン領域および前記チャネル領域を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H05B 33/14

FI (4件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H05B 33/14 A , H01L 29/78 627 G

Fターム (90件)：

2H092JA25 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092JB61 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092KA18 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA22 , 2H092NA29 , 2H092PA08 , 2H092PA11 , 3K007AB17 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5F052AA02 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA02 , 5F052FA12 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL08 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP31 , 5F110QQ11

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