特許
J-GLOBAL ID：200903052961185764
電界放出表示素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-083234
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285837
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 エミッタの電子放出の特性が効果的に向上する電界放出表示素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 所定の間隔をおいて対向配置される第1基板2及び第2基板4と,第1基板2にライン形状に配置されるカソード電極6,およびカソード電極6パターンと垂直に交差するように第2基板4にライン形状に配置されるアノード電極8を含む。カソード電極6には電子放出物質からなるエミッタ10が位置し,アノード電極8の一面にはそれぞれ緑,青,赤の蛍光膜12が位置する。カソード電極6とアノード電極8とに電圧を印加すると,電界が形成され,エミッタ10から電子を放出し,放出された電子は蛍光膜12に衝突して画像を表示する。エミッタ10の電子放出物質は,磁性体を含有する粉末形態で,磁場によって個々が一定方向に配向されるように構成する。
請求項（抜粋）：
所定の間隔をおいて密封配置される第1及び第2基板と;前記基板のうち,一方の基板に形成されるカソード電極と;前記基板のうち,他方の基板に形成され,カソード電極に向かいあう一面に蛍光膜を形成するアノード電極と;磁性体を含有する電子放出物質からなり,前記カソード電極に形成されて電界形成によって電子を放出するエミッタを含む電界放出表示素子。
IPC (3件)：
H01J 31/12
, H01J 9/02
, H01J 29/04
H01J 31/12 C
, H01J 9/02 B
, H01J 29/04
