特許
J-GLOBAL ID：200903052967238282
リッジ導波路型半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-359504
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183459
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 リッジ導波路型レーザでは、活性層への電流狭窄がうまく行なわれていなかった。レーザの閾値電流の低減に貢献するために、電流狭窄部をうまく作る方法を提供する。【解決手段】 MOVPE法を使って結晶成長させ、リッジ導波路部を製作すると活性層が素子全域に形成されているため、活性層の中央部に優先的に電流が流れなかった、活性層の一部を削ることによって中央部に優先的に電流が流れる構造を得ることが出来る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に活性層とクラッド層とコンタクト層を順次積層し、前記クラッド層と前記コンタクト層をエッチングし、リッジ導波路部を作製したリッジ導波路型半導体レーザにおいて、前記エッチングにより露出した前記活性層上に前記リッジ導波路部の両脇から所定の長さを有する高次モード抑制部を形成したことを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ。
Fターム (10件)：
5F073AA07
, 5F073AA08
, 5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073CB11
, 5F073DA12
, 5F073DA14
, 5F073DA21
, 5F073EA14
, 5F073EA23
