特許

J-GLOBAL ID：200903052976972606

半導体装置の製造方法

発明者： 岡村 健司 ,  善家 昌伸 ,  田 康秀
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154048
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029897
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】平滑な表面を有し、且つ緻密な膜質のシリコン酸化膜を形成する。【構成】金属配線12が形成された半導体基板10の表面にジメチルシロキサン膜13を形成したのち酸化性プラズマにさらす工程とを同一装置内で交互に繰り返して、半導体基板表面にシリコン酸化膜15を形成する。ここで、酸化性プラズマの励起周波数に1MHz以下の成分を含ませることにより、シリコン酸化膜15は緻密な膜質となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配線を形成する工程と、該配線を含む全面にCVD法によりシリコーン系膜を形成する工程と酸化性プラズマにさらしシリコーン系膜をシリコン酸化膜に変える工程とを同一装置内で交互に繰り返し規定の厚さのシリコン酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-214627
  
• 特開平3-041731
  
• 特開昭60-091646